ОАО «Ангстрем» успешно завершил экспериментальное исследование динамических параметров новых силовых приборов IGBT и FRD на кафедре промышленной электроники «Национального исследовательского университета «МЭИ». Результаты исследований показали, что продукция ОАО «Ангстрем» не только не уступает аналогам мировых производителей, но по ряду параметров превосходит их.

Силовые транзисторы, разработанные и произведенные на «Ангстреме», имеют наименьшее время нарастания тока коллектора и, соответственно, более чем в полтора раза меньшую энергию динамических потерь по сравнению с зарубежными микросхемами. Помимо этого, результаты испытаний показали, что силовые транзисторы «Ангстрема» обладают практически не зависящей от температуры амплитудой остаточного тока и напряжения. Измеренные в лаборатории «МЭИ» динамические параметры диодов российского производителя микроэлектронных компонентов превосходят показатели иностранных аналогов в несколько раз, а полумостовая сборка продемонстрировала устойчивое переключение на индуктивную нагрузку во всех исследуемых режимах.

Рынок и область применения приборов силовой электроники постоянно расширяются, поэтому в настоящее время мировая потребность в IGBT и FRD кристаллах для силовых модулей непрерывно растет. На рынке силовой электроники развивающаяся российская электроэнергетика, готовая в своих проектах использовать мощные модули на основе отечественных кристаллов, имеет большой потенциал для роста.